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鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法

675   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:29
一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法,该方法包括:(1)通过一套X-射线衍射装置,向硅晶样品表面发射X-射线,含有掺杂剂的硅晶样品表面在X-射线的轰击下包含掺杂剂元素在内的金属元素发生衍射光谱;(2)通过检测器接收衍射光谱;(3)通过特征光谱谱线位置来判定元素的种类。本发明的优点是:含有的掺杂元素直拉单晶硅材料时不需要特别制样,直拉单晶硅材料是不接触的,不会对直拉单晶硅材料造成沾污,几乎是无损伤的,只需要5-180秒即可显示检测结果,特别适合现场鉴别,同时,本发明提供的方法也可以测量硅晶材料中掺杂剂的含量。
声明:
“鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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