本发明公开了一种Si(111)材料中应力沿表面法线分布信息的测量方法,主要解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿表面法线分布信息的问题。其技术步骤是:将Si(111)材料水平放置于x射线衍射仪载物台;依次对该Si(111)材料中的(111)和(220)晶面进行对光;以不小于50nm的步长减小x射线透射深度,并在各透射深度下获取(220)晶面的布拉格角;将测得的一组布拉格角代入布拉格方程,得到一组(220)晶面的面间距;根据一组面间距计算Si(111)材料应力沿表面法线分布的信息。本发明测试成本低,对被测材料无损伤,能获取一组应力沿表面法线的分布信息。
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