本发明公开了一种半导体少数载流子寿命分布的红外偏振光学成像检测方法与系统。所述方法由短波焦平面红外相机采集少数载流子辐射复合偏振发光图像序列、激光光源偏振激励、少数载流子辐射复合偏振发光信号处理与图像分析三个步骤组成;所述系统包括激光偏振激励装置、NI数据采集卡、短波焦平面红外相机及计算机。本发明应用红外偏振成像技术和数字信号处理技术得到调制偏振光诱发
半导体材料的少数载流子辐射复合偏振光的频域响应特性,利用少数载流子辐射复合偏振发光频响特性分析得到少数载流子寿命,这是一种快速、准确获取少数载流子寿命分布的无损检测方法。
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