本发明提供了一种SOI晶圆质量检测方法及系统,检测方法包括如下步骤:提供SOI晶圆,SOI晶圆包括衬底层、埋氧层和半导体层;放置第一压力探针和第二压力探针;将第一压力探针接地,对第二压力探针施加恒定的第一电压,对衬底层施加变化的第二电压;根据不同第二电压及所对应的第一电流数据提取测试表面迁移率,并与理论表面迁移率进行比对,以评估SOI晶圆的质量。本发明针对SOI晶圆质量的快速评估需求,通过对测试结构进行电流电压测试,提取表面迁移率,与理论值进行比对,揭示了能够表征SOI晶圆质量的电学特性,实现了对SOI晶圆质量的无损评估,对于
太阳能电池SOI晶圆的工艺开发具有重要意义。
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