本实用新型提供了一种半导体外延片的击穿电压检测装置,属于半导体技术领域。本实用新型的击穿电压检测装置包括交流电源、滑移机构、转盘和探针,转盘与交流电源负极连接,探针与交流电源正极连接,交流电源正极与探针之间设有示波器,探针固定在滑移机构上;滑移机构包括滑移杆和滑移座,滑移杆底端卡接在滑移座的凹槽内,滑移杆能够沿滑移座凹槽移动,实现探针与P型层上表面在径向上接触;转盘底端通过转轴与固定座连接,转盘以转轴为圆心进行转动,实现探针与P型层上表面在周向上接触。本实用新型的检测装置能够快速、直接、无损地检测半导体外延片的击穿电压。
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