本发明涉及一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法,属于晶体生长技术领域,当掺杂浓度低,晶片透明,采用光学显微镜等无损观察其缺陷;当掺杂浓度高时,晶片不透明,采用熔融状态下的KOH或NaOH或其他碱的熔融液,对p型SiC进行腐蚀,然后在显微镜下观察腐蚀坑,进而可以表征晶体缺陷。根据腐蚀坑的大小、深度、形状和密度可以判定晶体缺陷的种类以及晶体质量。本申请采用了光学无损检测和碱液熔融腐蚀相结合的方法分析p型SiC晶片的缺陷信息,最大程度降低了材料损失,并提高了分析效率。
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