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偏振激光散射检测单晶硅片亚表面损伤的方法

659   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:07
本发明公开了一种分离残余应力的偏振激光散射检测硅片亚表面损伤的方法,涉及磨削单晶硅片亚表面损伤的无损检测,其具体特征包括采用线偏振激光散射检测亚表面损伤,通过调整入射激光偏振方向与磨削表面磨纹的方向夹角,使入射激光的偏振方向与磨纹平行或垂直,消除残余应力的影响之后进而对亚表面裂纹进行无损检测;亚表面裂纹检测完成之后,通过调整入射激光的偏振方向与磨纹的夹角,进而实现对表面残余应力的检测。本发明方法新颖,操作简单,能够提高硅片加工亚表面损伤的检测精度,易实现在线检测,有利于提高生产效率,是集经济性与实用性为一体的亚表面损伤的无损检测方法。
声明:
“偏振激光散射检测单晶硅片亚表面损伤的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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