本发明涉及一种表征二氧化硅薄膜残余应力的方法,包括下列步骤:获得包含残余应力的声表面波理论计算模型;将二氧化硅样片的密度、泊松比、厚度、弹性常数在内的参数代入理论计算模型中,得到不同残余应力下表面波在二氧化硅薄膜中传播的理论频散曲线;二氧化硅薄膜样片,控制激光器发射出一定频率和能量的短脉冲激光束,经过光学调整系统最终在样片表面汇聚成线性激光束,在样片表面产生超声表面波;表面波在样片表面传播一定距离后被压电传感器探测;对采集到的离散时域电压信号进行包括傅立叶变换在内的数学处理,从而得到实验频散曲线;找出与实验频散曲线最匹配的理论频散曲线,该曲线的残余应力值即为所测二氧化硅薄膜样片的残余应力值。
声明:
“激光无损表征二氧化硅薄膜残余应力的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)