本发明属于光学元件制造技术领域,具体涉及一种基于惰性离子束刻蚀的氚污染光学膜无损去除方法。针对现有技术中使用酸刻蚀去除氚污染的光学膜的缺点,本发明的技术方案是:首先测定与待去膜光学元件同工艺的光学膜厚度;然后标定离子束对元件表面光学膜的刻蚀速率;最后采用能量为100eV~1500eV,束流为100mA~500mA,离子束入射角度为‑90°~90°的惰性离子束对元件表面的氚污染光学膜进行准确刻蚀去除。采用本发明方法,可有效地解决现有酸刻蚀技术去除氚污染光学膜的不足,同时保证光学基底的表面质量、光学性能及抗激光损伤能力不受影响。
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