本发明公开了一种无损、快速、准确表征ta-C膜键态结构的方法。首先,在石英或硅衬底上制备ta-C薄膜,然后利用紫外/可见/近红外分光光度计与光谱型椭偏仪分别测量ta-C薄膜的透射率T与椭偏参数Ψ和Δ,再以该参数为拟合参数,通过建立衬底层、ta-C薄膜层以及表面粗糙层的数学物理模型求解ta-C薄膜厚度df、折射率nf及消光系数kf,最后分别确定具有纯sp2C、纯sp3C键态的材料的光学常数,在EMA近似下采用Bruggeman算法拟合,即得到ta-C薄膜中化学键sp3/sp2的含量。与现有的表征方法相比,本发明具有对样品要求低、表征过程快速简单易行,对样品无损坏,以及表征精度与准确性较高的优点,具有良好的推广应用价值。
声明:
“无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)