本发明提供了一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置,所述方法包括:获取随机子样器件的输出光功率Pout和1/f噪声幅值B;获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率Pout′;基于所述Pout和所述Pout′,计算退化量ΔPout=Pout′‑Pout;以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数,以输出光功率退化量ΔPout作为辐照性能参数,采用线性回归法建立B和ΔPout之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔPout和信息参数B的系数向量建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程:利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。本发明能够实现在对元器件无损坏的前提下,进行对GaN发光二极管元器件准确、高效的筛选。
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