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碳化硅晶体导电类型的无损判定方法

650   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:00
本发明涉及一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法,使用紫外‑可见‑近红外分光光度计,对待测的SiC样品进行光谱透过率测量,探测光的入射方向为沿SiC晶片的c轴方向,测量指标为吸光度,根据公式α={A﹢2log10(1‑R)}/(d/ln10)(1)计算得到碳化硅样品的吸收系数随波长变化关系的吸收系数曲线,从曲线中获得紫外吸收边位置Eg;根据半绝缘类型的紫外吸收边位置判定标志与吸收边位置Eg进行比较,获得半绝缘晶片导电类型,有益效果是采用基于光谱分析法,对高纯半绝缘碳化硅晶片的导电类型进行检测和筛分的方法,对待测样品无损伤,检测过程易于自动化和程序控制,可对出厂产品进行全面检验,也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。
声明:
“碳化硅晶体导电类型的无损判定方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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