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p型掺杂6H-碳化硅晶体的无损判定方法

1082   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:00
本发明涉及一种p型掺杂6H‑碳化硅晶体的无损判定方法,使用变温拉曼光谱,对待测的p型掺杂6H‑SiC晶体样品进行光谱测量,探测光的入射方向为沿SiC晶片的(0001)方向,变温测量为室温到673K温度范围,温度间隔为50K。分析对比载流子敏感的A1纵向光学模,根据其强度及峰位的变化,可以判断样品是否为p型掺杂。有益效果是采用基于光谱分析法,对p型Al掺杂6H‑碳化硅晶体的载流子浓度进行检测和分析,无需像霍尔测量一样的镀电极,对待测样品无损伤,检测过程可实现自动化和程序控制,可对出厂产品进行全面检验,也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。
声明:
“p型掺杂6H-碳化硅晶体的无损判定方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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