一种采用变温PL谱获取
半导体材料杂质电离能的无损测量方法,其是通过分析半导体材料变温PL谱谱峰强度随温度升高而下降的热淬灭行为,计算获得半导体材料的杂质电离能,具体方法包括:步骤1:测量待测半导体材料的变温PL谱;步骤2:通过谱峰拟合,获得待测半导体材料在不同温度下的热淬灭峰谱峰强度;步骤3:拟合热淬灭峰谱峰强度‑温度关系实验数据,获得半导体材料杂质电离能,包括施主杂质电离能和受主杂质电离能;步骤4:重复步骤1‑3,多次测量待测半导体材料的杂质电离能,采用最小二乘法,计算多次测量后的杂质电离能。本发明是利用无损的光谱解析技术,克服了现有测试手段复杂有损的技术缺点,不仅快速简便、精度高,而且对于测试材料无损。
声明:
“采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)