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在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法

902   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:58
一种在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法，其是通过分析生长过程中薄膜材料光致发光谱谱峰强度随温度变化而变化的光学特征，计算获得待测半导体薄膜的杂质电离能，该测量方法包括如下步骤：在MOCVD装置中安装光致发光谱测试系统；该测试系统测量在不同温度下测量薄膜材料的光致发光谱，并标定和计算施主‑受主峰的谱峰强度；拟合施主‑受主峰谱峰强度‑温度关系实验数据，获得薄膜材料杂质电离能，包括施主杂质电离能和受主杂质电离能；重复步骤1‑3，多次测量待测半导体薄膜杂质电离能，采用最小二乘法，计算多次测量后的杂质电离能。本发明是利用无损的光谱解析技术，实现了MOCVD生长过程中对半导体薄膜杂质电离能的实时测量，测试过程快速无损、精度高。
声明：
“在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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