本发明公开一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路,涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域,包括GaN HEMT器件器件电路、电流源电路、动态导通电阻提取电路和运放差分电路,可通过探测器件漏极电压推算得到,通过器件漏源极的高频电流,省去了电流探测器,避免了电流探测器带来的损耗,减小了电路环路面积。该方法还能有效地将GaN HEMT器件的自热效应及其独有的俘获效应解嵌,从而获得高精度的电流探测结果,能够广泛地运用于高频功率电子线路中。
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