本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳电池电学性能无损检测方法,解决了现有技术中太阳电池电学性能不能无损检测的问题。该方法包括:建立待测太阳电池的等效电路模型;根据设定的待测太阳电池直流偏压范围及步长,在每个直流偏压下,变化待测太阳电池两端交流电压的角频率,利用所述等效电路模型,获取所述太阳电池总电容随所述角频率变化的测试曲线,得到不同直流偏压下的特征频率;根据所述不同直流偏压下的特征频率数据,线性拟合得到直线斜率;根据所述直线斜率和太阳电池参数,获取所述太阳电池的电阻率及迁移率,根据所述电阻率和迁移率得到所述太阳电池的性能状态,实现了太阳电池电学性能的无损检测。
声明:
“铜铟镓硒薄膜太阳电池电学性能无损检测方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)