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半导体掺杂层厚度无损检测方法

1005   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:42
本发明涉及一种外延层厚度无损检测方法,包括:获得外延层的掺杂浓度;获得反向偏置电压值V:使用探针与外延层接触,形成肖特基结,并对肖特基结施加逐步增大的反向偏置电压,记录下电流出现明显变化时的反向偏置电压值V;根据公式进行计算,得到d值即为外延层厚度。本发明所述外延层厚度无损检测方法,对于厚度在5微米以下的外延层,厚度检测精度为0.01微米,且最小的检测厚度为0.1微米,极大促进了外延层检测技术的拓展和准确性,具有高精度、无损检测的优势。
声明:
“半导体掺杂层厚度无损检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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