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大功率放电管芯片制造工艺

858   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:04
本发明属于芯片制造技术领域,尤其是一种大功率放电管芯片制造工艺,针对现有的放电管芯片制作方式复杂,且制作芯片漏电流高,电容值高,高温反偏性能弱,抗浪涌能力弱的问题,现提出如下方案,其包括以下步骤:S1:扩散前处理;S2:氧化;S3:单向光刻;S4:低温氧化;S5:离子注入;S6:氧化表面处理;S7:光刻处理;S8:测试,所述S1中准备并采用N型单晶硅片,通过酸、SC3#配方清洗工序,对硅片表面进行化学处理。本发明设计成正面TSS,背面TVS与AK系列TVS合并封装成一种保护器件,漏电流低,电容值低,高温反偏性能强,抗浪涌能力强。
声明:
“大功率放电管芯片制造工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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