本发明属于
芯片制造技术领域,尤其是一种大功率放电管芯片制造工艺,针对现有的放电管芯片制作方式复杂,且制作芯片漏电流高,电容值高,高温反偏性能弱,抗浪涌能力弱的问题,现提出如下方案,其包括以下步骤:S1:扩散前处理;S2:氧化;S3:单向光刻;S4:低温氧化;S5:离子注入;S6:氧化表面处理;S7:光刻处理;S8:测试,所述S1中准备并采用N型单晶硅片,通过酸、SC3#配方清洗工序,对硅片表面进行化学处理。本发明设计成正面TSS,背面TVS与AK系列TVS合并封装成一种保护器件,漏电流低,电容值低,高温反偏性能强,抗浪涌能力强。
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