本发明属于纳米酞菁铟制备技术领域,具体公开一种新晶体结构酞菁铟纳米线及其制备方法,所述酞菁铟纳米线的X‑射线衍射谱在下列的2θ处具有一个或多个特征峰7.338、16.635、21.285、23.253、25.222、27.164、27.769、28.217;所述X‑射线衍射谱的测试条件为:Cu
Kα1,
0.02°/step/1s;其制备方法包括放入酞菁铟源料至水平管式炉中的加热区域,在载气氛围下,以阶梯升温的方式加热,升温速率为1‑8℃/min,加热酞菁铟源料至470‑800℃,通过该载气,引导该升华的酞菁铟离开该加热区域,至生长区域得到酞菁铟纳米线,本发明得到具有特定结构的InPC均匀性好,平均直径为100nm以下,纳米线束的长度通常为10mm以上,提升和改善了酞菁铟的物理和化学性质,能更好地应用于光电导材料、液晶彩色显示等领域中。
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