本发明涉及探测器级的高纯锗多晶制备工艺以及该工艺的专用设备,该工艺包括原料锗锭及区熔设备的清洗以及区熔提纯两个部分;该专用设备包括底座、小车轨道、小车、石英管及石英管支架,原料锗锭放置于石英管内,所述小车上固定有高频加热线圈,该高频加热线圈为宽度1~3cm的双层线圈,并环绕于所述石英管外部。本发明反应物及区熔设备均经过严格的物理及化学清洗,清洗液纯度高,且反应过程始终在超净工作台内进行,对反应物、反应环境纯度要求高,为制出高纯度的产品提供了先决条件,区熔过程采用窄熔区结构移动加热区熔,使其热量集中,大大提高区熔过程中杂质的分凝效果,提高纯化的效率,且经过反复多次区熔,进一步提高产品纯度。
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