本发明涉及一种掺杂铁酸铋单相多铁性材料,该材料的化学组成为Bi1.04?xBaxFe0.95Mn0.05O3,其中,0.15≦x≦0.25,其晶格结构为三方相和四方相的共存。本发明通过钡元素的A位掺杂和锰元素的B位掺杂并控制钡元素的掺杂量,实现三方相和四方相共存的晶格结构,不仅能够显著提高铁酸铋块材的铁磁性和铁电性,并且观测到明显的磁电耦合现象,磁电耦合系数α=μ0?M/?E?为?1.8×10?12?s/m,实现电控磁,为未来电子元器件的多功能化和小型化发展提供了无限的可能。
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