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GaSe/MoS2异质结的制备方法

979   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:03
本发明公开了GaSe/MoS2异质结的制备方法,属于光电器件的技术领域。本发明要解决现有制备GaSe/MoS2异质结存在MoS2纳米片形状不规则而且层数不可控、难以精确控制的技术问题。本发明采用化学气相沉积法得到单层MoS2,然后采用PDMS作为转移的媒介利用转移平台将机械剥离的GaSe与MoS2结合获得GaSe/MoS2异质结。本发明制备的GaSe/MoS2异质结是具有很好的光电性能,是许多光电器件的核心组件,比如紫外光电探测器等。
声明:
“GaSe/MoS2异质结的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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