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GaSe/MoS2异质结的制备方法

1081   编辑：管理员   来源：中冶有色网  
2023-03-19 08:57:03
本发明公开了GaSe/MoS2异质结的制备方法，属于光电器件的技术领域。本发明要解决现有制备GaSe/MoS2异质结存在MoS2纳米片形状不规则而且层数不可控、难以精确控制的技术问题。本发明采用化学气相沉积法得到单层MoS2，然后采用PDMS作为转移的媒介利用转移平台将机械剥离的GaSe与MoS2结合获得GaSe/MoS2异质结。本发明制备的GaSe/MoS2异质结是具有很好的光电性能，是许多光电器件的核心组件，比如紫外光电探测器等。
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“GaSe/MoS2异质结的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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