本发明公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤:(1)准备温度控片;(2)反应腔升温并进行HCL清洁;(3)冷却至室温,装入温度控片;(4)以恒定的升温速率升温至1150‑1200℃进行烘烤;(5)取出温度控片进行化学处理;(6)对温度控片进行电阻率测试,获得温度控片各区域温度并进行温度补偿;(7)清洗待外延的硅片并重复步(2)的操作后,将待外延的硅片放入反应腔;以步骤(4)中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤(6)中的温度补偿,进行烘烤;调整反应腔温度至生长温度,通入SiHCl3、H2并掺杂,外延生长至目标厚度和目标电阻率。本发明能够有效控制外延过程中硅片表面的温度分布,更好控制滑移线的产生。
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