本发明属于
半导体材料领域,公开了一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料,其化学组成通式为SbNx,其中Sb代表锑元素,N代表氮原子,x代表不同的掺氮量标记,x=1、2或3;经EDS测定,x=1时掺入的氮原子百分比为9.6%,x=2时掺入的氮原子百分比为15.3%;x=3时掺入的氮原子百分比为22.5%。本发明的掺氮的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氮原子,使Sb的晶化温度有了明显的提高,数据保持能力得到加强,因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高,使得其RESET功耗降低了。
声明:
“掺氮的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)