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用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法

591   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:00
本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺 制作相变随机存储器,其工艺步骤为:(1)清洗氧化硅片,依次 沉积30nm Ti或TiN,100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗 干净,然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合,再将键合之后的(100) 硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出 SiO2,在 SiO2上光刻成图形然后刻蚀掉 图形下SiO2。(4)用刻蚀液对(100) 硅片刻蚀,形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉 积相变材料,用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。 (7)再次光刻,沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下,实现 了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明,单元器件的阈 值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。
声明:
“用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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