本发明公开了一种
太阳能电池背场激光PN隔离工艺,包括步骤:前清洗制绒、扩散、PN隔离、后清洗、等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅、丝网印刷烧结、测试分选;所述PN隔离采用激光刻蚀,具体方法是:在太阳能电池的背面,利用光纤激光器以100~120mm/s的刻线速率围绕硅片的背面表面进行边缘刻槽,所述刻槽离硅片的边缘距离为0.5mm,刻槽深度为10~15μm,从而实现PN隔离。本发明使用激光隔离代替传统的湿法刻蚀工艺,并且对传统激光刻蚀的工艺进行了改善,完全可以满足太阳能电池生产过程中去除边缘PN结的工艺需求。
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