本发明公开了铕掺杂硅酸钆晶体的用途及其制备方法,铕掺杂硅酸钆晶体用作热释光晶体,其化学表达式为Gd2‑xSiO5:xEu,式中x=0.03~0.07;该晶体有低温、高温热释峰;低温热释峰位于143℃,波长为585nm,陷阱深度为1.16eV,频率因子为2.76×109s‑;高温热释释峰位于352℃,发射波长978nm,陷阱深度为1.61eV,频率因子为3.84×1012s‑1。铕掺杂硅酸钆热释光晶体采用光学浮区法制备,包括粉体制备、料棒制备、晶体生长、退火处理四个步骤,其中晶体生长时提拉速度可以达到15mm/h、生长方向为[212]。本发明铕掺杂硅酸钆热释光晶体具有良好的热释性能,对γ射线具有良好辐射剂量热释光线性相应;可用于文物断代和辐射剂量探测;制备工艺的过程简单、速度快。
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