本申请涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种波导的刻蚀方法,该方法包括:提供表面具有波导材料层的半导体衬底;波导材料层基于化学气相沉积技术得到;采用光刻工艺在波导材料层表面形成图形化的掩膜层;掩膜层用于确定波导材料层的待刻蚀面;基于掩膜层,采用干法刻蚀工艺刻蚀波导材料层的待刻蚀面,以形成波导;其中,在刻蚀波导材料层的待刻蚀面的过程中,通过实时测量波导材料层的刻蚀深度和波导材料层剩余的衬底厚度,来确定刻蚀终点。如此,可以提高波导的刻蚀精度,减少刻蚀所得波导深度的尺寸偏差,并提高波导的性能。
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