本发明涉及半导体构件(108),其可由流体的至少一个流体成分加载,其中,所述半导体构件(108)具有一衬底(110)、一电极(114)和一接口(116)。所述衬底(110)由一
半导体材料构成。所述衬底(110)在第一侧面上具有一衬底触头(112)。所述电极(114)布置在所述衬底(110)的第二侧面上。所述电极(114)通过一绝缘的化学敏感的层(118)与所述半导体材料(110)电绝缘。所述接口(116)为了测量所述接口(116)和所述衬底触头(112)之间的电压而相对于所述电极(114)侧部错开地布置在所述衬底(110)的第二侧面上。所述半导体材料(110)传导性地掺杂在所述接口(116)的区域中。
声明:
“半导体构件和用于确定半导体构件的半导体材料的状态的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)