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低电导率、抗灰迹RB:KTP晶体及其制备方法

923   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:59
本发明公开了一种低电导率、抗灰迹Rb : KTP晶体,所述晶体的化学式为RbxK(1-x)TiOPO4,0.01<x<0.1。本发明还公开了一种低电导率、抗灰迹Rb : KTP晶体的制备方法,包括以下步骤:在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入氧化铷并搅拌均匀,制成Rb : KTP晶体原料;将制成的Rb : KTP晶体原料放入坩埚中进行加热熔化后再降温到饱合点;向熔化的原料中加入籽晶使Rb : KTP晶体沿籽晶生长。本发明公开的Rb : KTP晶体与KTP晶体相比,具有很低的电导率,能够满足作为电光器件的电导率要求,在高电场作用下不会使晶体变黑变性而损坏;晶体的吸收系数比较稳定,经实验测试具有很好的抗灰迹性能。
声明:
“低电导率、抗灰迹RB:KTP晶体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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