本发明公开了一种低电导率、抗灰迹Rb : KTP晶体,所述晶体的化学式为RbxK(1-x)TiOPO4,0.01<x<0.1。本发明还公开了一种低电导率、抗灰迹Rb : KTP晶体的制备方法,包括以下步骤:在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入氧化铷并搅拌均匀,制成Rb : KTP晶体原料;将制成的Rb : KTP晶体原料放入坩埚中进行加热熔化后再降温到饱合点;向熔化的原料中加入籽晶使Rb : KTP晶体沿籽晶生长。本发明公开的Rb : KTP晶体与KTP晶体相比,具有很低的电导率,能够满足作为电光器件的电导率要求,在高电场作用下不会使晶体变黑变性而损坏;晶体的吸收系数比较稳定,经实验测试具有很好的抗灰迹性能。
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