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提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法

865   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:59
一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法,包括如下步骤:a)将在硅衬底上生长完毕的GaN外延片表面进行化学清洗;b)将蒸镀反射镜后的GaN外延片的正面图形化并进行刻蚀;c)沉积一层二氧化硅;d)去除二氧化硅层;e)对N型GaN外延层外露的表面进行等离子体处理;f)形成N型欧姆接触;g)将GaN外延片进行衬底剥离、键合、电极焊盘制作,并测试芯片的正向电压。可有效防止后续高温键合对N型欧姆接触产生不利影响而导致电压升高的现象,有效改善键合后欧姆接触性能降低、芯片电压升高的现象,提高产品良率和器件的光电性能,提升器件光电参数和使用寿命。
声明:
“提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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