本发明提供了一种沟槽器件的制作方法,进行化学机械抛光直至外延层与阻止层的表面齐平为止,然后测量获得硅衬底上方的阻止层的实际厚度,并根据硅衬底上方的阻止层的实际厚度进行热氧化生长,以将沟槽中硅衬底表面高度以上的外延层全部氧化为二氧化硅层,再刻蚀去除阻止层和二氧化硅层,既可以去除高于衬底表面的外延层又不会损伤到零层光刻标记,如此,即可保证不会影响光刻对位,又可取得较佳的平坦化效果,避免外延层相对于硅衬底存在凸起使后道的栅氧、多晶工艺等形成台阶,有利于提高器件的耐压等性能。
声明:
“沟槽器件的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)