本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻,该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源,采用开管涂源式高温气相扩散的方法,将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中,利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料,再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试,其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ,B25℃/50℃=6240K-6680K。
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