本发明涉及砷化镓光电阴极制备方法技术领域,尤其涉及一种低成本三代像增强器半导体光电阴极湿法处理方法,采用调节腐蚀过程中的化学试剂配比和腐蚀溶液的温度,控制腐蚀的速率,腐蚀均匀,可以解决衬底残留,腐蚀不彻底的问题。同时,腐蚀速率分段控制,适当加快砷化镓外延片湿法处理的效率,提高生产率速率,解决砷化镓外延片衬底腐蚀不干净、残留、表面粗糙的问题。一种低成本三代像增强器半导体光电阴极湿法处理方法,S1、采用千分尺测量阴极组件衬底腐蚀前的高度h1,通过高度变化差,定量判断衬底腐蚀结束时间;S2、采用超声波清洗机,频率40KHz,分别用异丙醇及去离子水对K9玻璃作为窗口玻璃的砷化镓阴极组件进行除油、清洁。
声明:
“低成本三代像增强器半导体光电阴极湿法处理方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)