本发明公开了一种溴铅铜单晶的制备方法。本发明的制备方法包括溴铅铜多晶料的制备和溴铅铜单晶的生长;具体包括:首先按化学计量比称取原料,混合后装入石英坩埚中真空封装,然后把石英坩埚放入摇摆炉中分段加热,边加热边摇摆进行溴铅铜多晶料的烧结;最后将装有溴铅铜多晶料的石英坩埚放入晶体炉中进行晶体生长。本发明采用多晶料制备和晶体生长两步法,成功生长出溴铅铜单晶,得到的溴铅铜晶体尺寸为18x50mm3,本发明解决了溴铅铜单晶生长的瓶颈,克服了溴铅铜单晶生长方法无法实现的技术难题,拓宽了溴铅铜材料在光电探测领域的应用前景。
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