本发明公开了一种超高密度单壁
碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法,包括如下步骤:在单晶生长基底上加载催化剂,退火后,在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应,并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米,这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试,其开电流密度达到380μA/μm,跨导达到102.5μS/μm,均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。
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“超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其可控制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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