本发明提供一种在半导体结构中消除凸点效应的方法,该方法通过分别利用双氧水和He等离子体清洗经过化学机械研磨平坦化处理过的基片表面,以除去残留的有机物和金属微粒,然后依次在清洗过的基片表面形成金属粘附层和超低k介电层,通过UV固化处理后形成多孔超低k介电层。利用扫描电镜测试最终形成的半导体结构,证明了本发明的方法消除了传统工艺中表面容易出现的凸点效应,提高了半导体器件的良率。
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