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超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法

785   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:58
本发明涉及超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法,一种首先采用水解共缩合法与多步提纯得到HBPSi,最终以化学键的形式将HBPSi结构引入PI分子主链,实现了在分子水平上对PI材料的改性,显著降低了PI材料的介电常数,并较好的保持了PI材料固有的优点。该PI薄膜介电性能优异,耐热性优良,力学强度突出,吸水率低,表面平整度高,制备过程反应条件温和,研发成本较低,有利于大规模工业化生产。与目前普遍使用的Kapton标准膜相比,在同等测试条件下HBPSi-PI薄膜的介电常数降低了30%~40%,最低介电常数甚至接近2.0,达到超低介电常数的水平,能够满足未来微电子行业发展的迫切需求。
声明:
“超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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