本发明涉及一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法,包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜,所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构,所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔。本申请的致密多孔晶体薄膜是一次性生长而成,具有制备工艺简单、比表面积大、且表面活性高等优势;致密多孔晶体薄膜,是由倒尖锥状的孔构成,有利于待测样品进出小孔、并具有大的比表面积;其孔壁为尖锥状结构,更为结实稳定;选用的氮化物
半导体材料属于第三代半导体材料,具有优异的化学稳定性,如耐酸碱腐蚀,更适用于高可靠性的半导体传感器。
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