本发明涉及金属外壳密封技术领域,具体涉及一种低温无压的传感器金属外壳密封方法,首先通过化学处理和Ar等离子体轰击对金属外接口进行表面活化,然后将表面活化后的金属外接口在室温至150℃低温度范围内,在真空环境下以及适当压力下两两之间进行键合。本发明为直接键合,不需要其他金属的参与。本发明密封得到的传感器密封性能好,可在室温至150℃低温度范围键合,元器件性能受影响程度低,产品使用寿命长,探测精准;将金属材料进行键和,接触紧密,密封性能好,且键合技术较为成熟,可应用于大规模工业生产。
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