一种同时改善STI和FG?Poly填充空洞工艺窗口的方法,首先涉及一闪存器件,然后采用有源区光刻工艺EM的方式,按由左向右的顺序定义出从小到大的有源区尺寸,调整隔离浅槽开口形貌和氮化硅阻挡厚度,并将调整后的结果与有源区尺寸进行组合,将组合的晶圆进行浮栅的平坦化工艺,然后对组合的晶圆表面进行湿法刻蚀,用扫描电镜观测和调试寻找最适合的STI和FG填充空洞工艺窗口。在平坦化工艺中采用化学机械研磨工艺,隔离浅槽的开口外貌呈锥形,通过调整隔离浅槽的开口形貌来调整STI填充空洞,通过调整氮化硅厚度来调整FG?Poly填充空洞。
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