合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 制备半导体集成电路器件金属横截面样品的方法

制备半导体集成电路器件金属横截面样品的方法

1036   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:57
本发明提供了一种制备半导体集成电路器件金属横截面样品的新方法,该方法包括传统方法中对半导体集成电路器件用树脂进行镶嵌,再进行机械研磨抛光,并创新地采用化学腐蚀,解决了机械研磨抛光后延展性较好的金属横截面变形较严重的问题。采用该方法制备的样品可在光学显微镜或扫描电子显微镜下准确地测量各层金属的厚度。本发明具有成本低、周期短、易操作、无毒害的特点。
声明:
“制备半导体集成电路器件金属横截面样品的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记