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类金刚石薄膜的制备方法

639   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:57
本发明提供在类金刚石材料上,利用等离子体增强化学气相沉积法制备方式,在类金刚石表面进行镀膜。利用利用双放电腔微波‑ECR等离子体全方位注入设备,采用PECVD技术制备的DLC薄膜能够达到对薄膜表面改性的目的。PECVD复合技术制备的Si/SiC/DLC梯度薄膜表面光滑致密,缺陷少,由尺寸均匀的纳米颗粒组成。薄膜的RMS粗糙度较低,在1.5nm左右变化。利用表面轮廓仪测得梯度薄膜的厚度约为1.2±0.1μm,Si,SiC过渡层厚度大约分别为:80±10nm,100±10nm,150±10nm,200±10nm。
声明:
“类金刚石薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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