本发明公开了抗坏血酸在增强N型半导体稳定性中的应用及一种增强N型半导体稳定性的方法,属于
半导体材料技术领域。所述方法为在N型半导体器件表面构筑抗坏血酸薄膜,所述抗坏血酸薄膜的制备方法为:将抗坏血酸溶液通过悬涂法、提拉法或滴注法均匀涂布在所述N型半导体器件表面,自然固化或者真空退火固化。所述抗坏血酸溶液中还加入聚氨酯溶液。该方法采用氧消除的策略,抗坏血酸可以清除已加入N型半导体中的氧,消除禁带中的相关陷阱状态,防止N型半导体的进一步降解。利用本发明的方法所制备的N型半导体器件的迁移率等电学性能提升,操作稳定性和长时间存储稳定性均得到提高。
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