本发明属于针对薄膜生长过程性能演化的逆向研究领域,具体涉及一种SiO2薄膜生长过程微结构演化的研究方法,其可用于评价SiO2薄膜生长过程微结构演化规律。该研究方法采用化学溶液腐蚀方法,通过对SiO2薄膜分层腐蚀,分别对腐蚀的SiO2薄膜进行红外介电常数测试,进而实现对不同厚度的SiO2薄膜短程有序结构评价,对于深入理解SiO2薄膜生长过程的微观结构具有重要意义,为薄膜材料生长过程性能演化规律的研究提供了逆向研究方法。该方法避免了传统分层制备方法的周期长、成本高等缺点,为薄膜的生长过程逆向研究提供了新方法。
声明:
“SiO2薄膜生长过程微结构演化的研究方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)