本发明涉及一种新型
稀土Ln-Sialon单晶体及其制备方法,属于单晶材料和发光材料技术领域。本发明以镧系稀土元素的单质Ln、化合物Ln2O3、LnN和LnX3(其中X选自F、Cl、Br和I,Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu),Si、Si3N4和SiO2,以及Al、AlN和Al2O3等为原料,也可以选择添加过渡金属(Fe/Co/Ni/Cu/Ag/Au)及含过渡金属的化合物为催化剂,在非氧化性气氛、气氛压力1Pa～50MPa、温度1400℃～2500℃、反应时间0.1小时～100小时的条件下,制备得到Ln-Sialon单晶体,其化学式为LnSi6-zAl1+zOzN10-z。所述Ln、LnX3、Ln2O3和LnN占总配料的质量比为0.1%～99%,Si、Si3N4和SiO2占总配料的质量比为0.1%～99%,Al、AlN和Al2O3占总配料的质量比为0.1%～99%。制备的Ln-Sialon单晶具有优良的力学性能和荧光性能,可用于白光LED、探测器阵列、光学组件和微电机系统(MEMS)等。
声明：
“新型稀土Ln-Sialon单晶体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：中冶有色技术网
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2025年03月25日 ~ 27日 
