发明提供了一种导电高分子/硒化锑异质结及其制备方法与光电应用,属于半导体
纳米材料技术领域。本发明以金属盐混合Sb2Se3作为前驱体,以云母或硅片作为载体,通过化学气相沉淀法制备超薄Sb2Se3纳米三角片;然后采用PMMA辅助转移法将超薄Sb2Se3纳米三角片转移至衬底;最后使用标准旋涂法制备导电高分子/硒化锑异质结。所述导电高分子/硒化锑异质结,借由导电高分子的可调节带隙,可以获得更高质量的异质结型光电探测器。
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