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在还原气氛下固化介电膜

1210   编辑：管理员   来源：中冶有色网  
2023-03-19 08:56:56
本发明提供了一种形成多孔介电膜的方法，该方法包括：在衬底的至少一部分上形成包括Si、C、O、H和Si-CH3基团的复合膜，其中所述复合膜包括至少一种含硅的结构形成材料和至少一种含碳的成孔材料；并将所述复合膜暴露于活化的化学物质，从而至少部分地改性所述含碳成孔材料，其中在暴露步骤后通过FTIR测定，在如此沉积的膜中至少90％的Si-CH3物质保留在所述膜中。
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“在还原气氛下固化介电膜” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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