一种高结晶GaN薄膜的制备方法涉及宽带隙半导体领域,采用一种简单、绿色、低成本的化学气相沉积法在衬底上生长获得了高质量的GaN薄膜。以N2气为氮源,通过等离子发生装置形成N等离子,采用固体镓源,在800‑1000℃下,N2气流量为10‑300sccm,射频功率为50‑300W,调控N等离子体密度,反应0.5‑10h,获得了高结晶质量的GaN薄膜。本专利解决了现在GaN制备过程中出现的高成本、复杂工艺和危险且有毒环境的问题,为发光二极管、激光发射器、紫外光探测器、高电子迁移率晶体管的制备提供一种可行性的方法。
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